增强型MOSFET与耗尽型MOSFET的区别与应用解析 – GitHub项目[Favorites]

增强型（Enhancement Mode）MOSFET 和 耗尽型（Depletion Mode）MOSFET 的主要区别在于它们在无栅压时的导通状态、导通原理和使用场景。以下是详细的对比：

🧠 一图对比（简明对照）

🔍 1. 增强型 MOSFET（Enhancement Mode）

• 工作原理：初始无沟道，栅极电压增强电场，诱导出一个导电沟道。

• 默认状态（Vgs = 0）：关闭（不导通）。

• 开启条件：

  • N沟道：Vgs > 阈值电压（Vth）才导通。
  • P沟道：Vgs < Vth 才导通（Vgs为负值）。

• 图像：

  • 传导区是“新形成”的。

• 典型用途：

  • 大多数数字逻辑、功率MOSFET都用增强型。
  • 例如 IRF540、IRLZ44N 等。

🔍 2. 耗尽型 MOSFET（Depletion Mode）

• 工作原理：内部已存在导电沟道，默认就导通；通过栅极施压“耗尽”沟道载流子，以控制电流。

• 默认状态（Vgs = 0）：开启（有电流）。

• 关闭条件：

  • N沟道：Vgs 施加负电压会“耗尽”电子，逐渐关闭。
  • P沟道：Vgs 施加正电压关闭。

• 图像：

  • 初始就有导电通道。

• 典型用途：

  • 模拟开关、限流、恒流源等少数特殊场合。
  • 常见型号如：2N7000（部分版本）、DN2540。

⚠️ 补充说明

• 符号区别：

  • 增强型 MOSFET 符号中，源极和沟道之间无实线。
  • 耗尽型 MOSFET 的符号中，源极与漏极之间有实线代表已有沟道。

• 主流使用：现代电子设计（如 STM32 控制电路、开关电源、马达驱动等）几乎都使用增强型。