HBM(High Bandwidth Memory,高带宽存储器)是一种基于 3D 堆叠技术的高性能 DRAM,通过硅通孔(TSV)和微凸块(uBump)将多层存储芯片垂直堆叠,并与逻辑芯片(如 GPU)通过硅中介层(Interposer)封装,实现高带宽、低功耗、高容量的数据传输。其带宽可达传统 DDR 内存的 10 倍以上,是 AI 芯片、高性能计算(HPC)和数据中心的核心组件。
当前全球 HBM 市场由 SK 海力士、三星、美光垄断,但国内企业在材料、设备、封测等环节已实现关键突破。

一、核心材料:国产替代攻坚
1.华海诚科(688535)
技术壁垒:国内唯一量产 HBM 封装必备材料 GMC(颗粒状环氧塑封料)的企业,适配 12 层 HBM3E 堆叠,技术参数对标日本住友电木,已通过长电科技、通富微电认证。2025 年 GMC 产能规划达 2000 吨,HBM 业务收入占比预计超 40%。
稀缺性:全球仅三家企业(含华海诚科)掌握 GMC 量产技术,国产替代空间显著。
2.雅克科技(002409)
技术壁垒:子公司 UPChemical 是 SK 海力士 HBM 介电层前驱体核心供应商,产品纯度达 99.9999%,覆盖 DRAM 1b、NAND 200X 及逻辑芯片 3nm 制程。联合华为开发 HBM4 前驱体,大基金、社保基金均重仓持股。
市场地位:全球前三的前驱体供应商,直接受益于 SK 海力士 HBM3E 扩产。
3.联瑞新材(688300)
技术壁垒:全球仅三家量产 Low-α 球形硅微粉的企业之一,用于 HBM 封装材料 GMC 的填充,可降低芯片故障率,技术指标接近德国默克。2025 年产能规划 5 万吨 / 年,客户包括台塑、日立化学。
4.强力新材(300429)
技术壁垒:国内唯一量产感光性聚酰亚胺(PSPI)的企业,PSPI 是 HBM 封装中 TSV 技术的关键材料。电镀液通过陶氏杜邦知识产权认证,深度绑定华为供应链。
二、先进封装:产能扩张提速
1.长电科技(600584)
技术壁垒:全球第三大封测厂,XDFOI 技术平台支持 HBM 封装,为 SK 海力士 HBM3E 提供后道封装,2.5D 封装良率达 95%。HBM4 产线启动验证,技术储备覆盖多层堆叠。
订单情况:2024 年 HBM 封装订单同比增长 120%,营收占比提升至 12%。
2.通富微电(002156)
技术壁垒:国内 HBM 封测龙头,完成 HBM2E/3 样品开发,通过 AMD MI300X 封装验证,良率达 98%。与长鑫存储合作开发 HBM 芯片样品,2024 年净利润同比增 120%。
3.太极实业(600667)
技术壁垒:子公司海太半导体为 SK 海力士 HBM 提供封装测试服务,掌握 16 层 DRAM 高堆叠技术,良率超 99%。2025 年新增 2 条 HBM 产线,产能预计达 12 万片 / 年,占全球 15% 份额。
三、关键设备:技术垄断性突出
1.赛腾股份(603283)
技术壁垒:A 股唯一量产 HBM 全制程检测设备的企业,通过收购日本 Optima 掌握全球唯三的 0.1μm 精度检测技术,直供三星、SK 海力士。2024 年斩获三星 37 台订单,2025 年新增订单预计超 20 亿元,南浔基地扩产后年产能达 300 台套。
稀缺性:检测设备是 HBM 生产的 “卡脖子” 环节,国内无竞品。
2.中微公司(688012)
技术壁垒:全球刻蚀设备龙头,5nm 刻蚀设备用于长江存储 3D NAND 产线,TSV 刻蚀技术突破在即,已进入长鑫存储验证阶段。
3.精智达(688627)
技术壁垒:HBM 专用测试机(KGSD)分辨率达 0.1μm,独家供应 SK 海力士、长电科技。2025 年上半年半导体测试业务收入同比增长 376%,占营收 70.5%。
四、其他环节:细分领域隐形冠军
- 兴森科技(002436)技术壁垒:国内唯一能批量生产 20 层 ABF 载板的企业,高层板良率达 85%,适配 HBM 与 CPU/GPU 集成封装。FCBGA 封装基板占 HBM 封装成本 70%-80%,技术壁垒极高。
- 香农芯创(300475)技术壁垒:SK 海力士在中国大陆的唯一云服务存储代理商,代理 HBM/DDR5 等高端产品,下游客户包括阿里、腾讯等云巨头。直接受益于 HBM 需求爆发,2024 年营收同比增长 180%。
- 亚威股份(002559)技术壁垒:参股苏州芯测(持股 25%),后者是海力士 HBM 存储测试设备核心供应商,产品覆盖晶圆测试、封装测试全流程。
五、行业趋势与风险提示
- 需求爆发:
全球 HBM 市场规模预计从 2024 年的 170 亿美元增至 2030 年的 980 亿美元,年复合增长率 33%。OpenAI 与三星、SK 海力士的合作项目(月需求 90 万片晶圆)凸显行业缺口。
- 政策支持:
国家大基金三期首个项目投向 HBM 键合设备企业,千亿级创业投资引导基金重点支持硬科技,政策红利显著。
- 风险因素:
技术垄断:HBM 芯片仍由海外巨头垄断,国内企业聚焦于材料和设备环节,需警惕技术封锁升级。
竞争加剧:封装材料、设备领域的国产替代加速,部分企业可能面临价格战。
技术迭代:英伟达转向 GDDR7 内存,可能对 HBM 短期需求产生扰动,但长期来看 HBM 在 AI 训练领域仍不可替代。
总结
HBM 作为 AI 算力的 “心脏”,其产业链已成为国产替代的核心战场。材料端的华海诚科、雅克科技,设备端的赛腾股份,封测端的长电科技等企业,凭借技术突破和订单放量,有望在全球 HBM 市场中占据重大份额。投资者需关注技术验证进展、产能释放节奏及政策支持力度,同时警惕行业周期性波动风险。















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