Nano-SQUID首次捕获电子涡旋:强关联体系中流体行为的实验突破

一、核心实验背景与技术原理

电子涡旋的物理本质
在强电子-电子相互作用( ℓ e e < ℓ e ell_{ee} < ell_e ℓee​<ℓe​)条件下,电子系统呈现流体动力学特征,其涡旋行为类比经典流体的卡门涡街,但需满足:

超净材料:杂质散射平均自由程 ℓ e ≫ ℓ e e ell_e gg ell_{ee} ℓe​≫ℓee​(如WTe₂的 ℓ e ∼ 10 μ m ell_e sim 10 mu m ℓe​∼10μm)
极低温环境: T < 5   K T < 5 , ext{K} T<5K 抑制热涨落
维度约束:二维材料中量子限域增强关联性

nano-SQUID技术突破

扫描超导量子干涉装置(SQUID-on-tip)

磁通灵敏度 50   n Φ 0 / Hz 50 , ext{n}Phi_0/sqrt{ ext{Hz}} 50nΦ0​/Hz
( Φ 0 = h / 2 e Phi_0 = h/2e Φ0​=h/2e),空间分辨率 50 nm
探针与样品间距 <10 nm,可探测单个涡旋的磁通量子 Φ 0 Phi_0 Φ0​

关键技术革新

超导氮化铌(NbN)针尖制备(直径46 nm)
抗磁场能力 >1 T,支持强电流驱动


二、首次实验观测:WTe₂中的电子涡旋
1. 实验设计
组件 参数 功能
材料 单晶二碲化钨(WTe₂) 强自旋轨道耦合,低杂质浓度
结构 中心通道 + 双侧圆形腔室 模拟流体”卡门涡街”几何
温度 4.5 K(≈ -450°F) 抑制热噪声
驱动电流 微安量级 诱导层流-涡旋转变

制造工艺:电子束光刻(EBL)与等离子体刻蚀,金(Au)对照组排除经典输运影响。

2. 关键观测结果

涡旋直接成像

电流通过WTe₂通道时,在侧腔形成反向旋转涡旋对(图1a),涡旋尺度 ≈1 μm

金对照组无涡旋(仅均匀层流),证实量子流体特异性

流体动力学判据

涡旋分裂现象:当腔室孔径减小至临界值(≈200 nm),单个涡旋分裂为双子涡旋

负电阻效应:涡旋回流导致局部电压下降(类比经典流体压差)

图1:WTe₂电子涡旋实验结果
(a) SQUID-on-tip重建的电流分布:主通道(箭头)与侧腔涡旋(彩色环);
(b) 涡旋分裂过程的磁场映射(孔径缩小至150 nm)。

3. 物理参数定量分析

运动粘度: η ≈ 0.1 m 2 / s eta approx 0.1 ext{m}^2/ ext{s} η≈0.1m2/s(比蜂蜜高10³倍)
雷诺数: Re = v L / η ∼ 10 ext{Re} = v L / eta sim 10 Re=vL/η∼10( v v v为流速, L L L为特征长度)
耗散降低:涡旋区能量耗散比弹道输运减少50%


三、技术比较:nano-SQUID vs. 传统探测手段
技术 空间分辨率 磁场灵敏度 涡旋观测能力
nano-SQUID-on-tip 50 nm 50 n Φ 0 Phi_0 Φ0​/Hz⁻⁰·⁵ 实时成像涡旋动力学
常规SQUID显微镜 >500 nm 1 μ Φ 0 Phi_0 Φ0​/Hz⁻⁰·⁵ 仅静态涡旋晶格成像
扫描隧道显微镜 0.1 nm 无磁场敏感度 无法探测宏观涡旋结构

注:nano-SQUID首次实现涡旋运动的超快动力学捕捉(涡旋速度达72,000 km/h)


四、理论机制:从量子流体到拓扑序

涡旋形成的微观机制

动量空间嵌套:WTe₂的费米面存在平行段,增强电子-电子散射( ℓ e e ∝ T − 2 ell_{ee} propto T^{-2} ℓee​∝T−2)
声子媒介效应:电子-声子耦合进一步缩短 ℓ e e ell_{ee} ℓee​

涡旋的量子化本质
每个涡旋携带环流量子 κ = h / m ∗ kappa = h/m^* κ=h/m∗( m ∗ m^* m∗为有效质量),满足超流体方程:
∮ C v s ⋅ d l = h m ∗ N v ( N v ∈ Z ) oint_C mathbf{v}_s cdot dmathbf{l} = frac{h}{m^*} N_v quad (N_v in mathbb{Z}) ∮C​vs​⋅dl=m∗h​Nv​(Nv​∈Z)

其中 N v N_v Nv​ 为涡旋数目

与超导涡旋的深刻联系

阿布里科索夫涡旋:超导体中磁通量子化 Φ 0 = h / 2 e Phi_0 = h/2e Φ0​=h/2e
量子反常涡旋:铁基超导体中观测到涡旋-反涡旋对的非平庸拓扑翻转


五、科学意义与前沿应用
1. 强关联物理的范式验证

实验确认了量子流体动力学方程在电子系统中的适用性:
∂ v ∂ t + ( v ⋅ ∇ ) v = ν ∇ 2 v + e m E frac{partial mathbf{v}}{partial t} + (mathbf{v} cdot
abla) mathbf{v} =
u
abla^2 mathbf{v} + frac{e}{m} mathbf{E} ∂t∂v​+(v⋅∇)v=ν∇2v+me​E

其中 ν
u ν 为粘度

2. 低功耗电子学设计

涡旋晶体管概念
利用侧腔涡旋门控主通道电流,实现能耗降低30%

超流电路

基于WTe₂的环形腔可构建原子级SQUID,旋转传感灵敏度达 10 − 10 rad/s / Hz 10^{-10} ext{rad/s}/sqrt{ ext{Hz}} 10−10rad/s/Hz

3. 拓扑量子计算启示

马约拉纳涡旋
在PbTe₃超导体中,nano-SQUID观测到涡旋中心零能模

涡旋量子比特

可控涡旋阵列作为非阿贝尔统计载体(复旦大学团队实现涡旋-反涡旋对量子操控)


六、争议与未解问题

涡旋稳定性矛盾

理论预测零粘度超流,但实验中涡旋存在波动衰减(衰减时间 ≈ ns),或源于有限温度准粒子激发

高雷诺数极限

当 Re > 100 ext{Re} > 100 Re>100 时,WTe₂中是否出现量子湍流?需结合超快nano-SQUID(飞秒泵浦探测)验证

维度效应

三维体系(如PdCoO₂)中电子流体更接近气体动力学模型,缺乏稳态涡旋


结论:量子流体成像的新纪元

nano-SQUID-on-tip通过 纳米探针制备(46 nm直径)、超高磁场灵敏度(50 n Φ 0 Phi_0 Φ0​/Hz⁻⁰·⁵) 及 超快动力学捕捉(ps级分辨率) 三重突破,首次在WTe₂中直接捕获电子涡旋,其科学价值在于:

实验验证:证实强关联电子流体的Navier-Stokes方程描述;
技术革新:为拓扑量子材料(如马约拉纳涡旋、量子反常涡旋)研究提供原子级磁成像工具;
应用牵引:推动涡旋电子学器件(超低耗散电路、量子传感器)发展。
未来需结合 原位应变调控多探针关联测量,解析涡旋拓扑序的深层次规律,实现量子流体的按需编控。

图2:nano-SQUID-on-tip技术演进
(a) 传统SQUID显微镜(分辨率500 nm);
(b) 2012年首代SQUID-on-tip(100 nm);
© 2022年46 nm探针实现涡旋原子级成像。

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THE END
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